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国家存储器基地位于武汉光谷 。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片,成为继美国和韩国后,全球第三个掌握相变存储技术的国家。
2017年1月1日,总投资240亿美元的“国家存储器基地”项目在武汉东湖高新区正式开工。 2020年完成整个项目。
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